新产品

VFT3060G

威世通用半导体

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

I

F

= 5.0 A

I

F

= 7.5 A

每个二极管的正向电压

I

F

= 15 A

I

F

= 5.0 A

I

F

= 7.5 A

I

F

= 15 A

反向电流每二极管

V

R

= 60 V

T

A

= 25 °C

T

A

= 125 °C

I

R (2)

T

A

= 125 °C

T

A

= 25 °C

V

F (1)

符号

典型值。

0.49

0.53

0.65

0.40

0.46

0.61

-

14

马克斯。

-

-

0.73

V

-

-

0.69

850

40

μA

mA

单位

笔记

(1)

脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

(2)

脉冲测试：脉冲宽度

≤

40毫秒

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

每二极管

典型热阻

每个器件

R

θJC

符号

VFT3060G

6.2

° C / W

5.0

单位

订购信息

（例）

包

ITO-220AB

首选的P / N

VFT3060G-M3/4W

单位重量（g ）

1.76

封装代码

4W

基地数量

50/tube

配送方式

管

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

36

14

D = 0.5

D = 0.8

正向平均整流电流（ A）

平均功率Disspation （W）的

32

28

24

20

16

12

8

4

0

0

25

50

75

100

125

150

安装在专用散热器

12

10

8

D = 0.1

6

D = 0.2

D = 0.3

D = 1.0

T

4

2

0

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

D =吨

p

/T

t

p

外壳温度（ ° C）

平均正向电流（ A）

图。 1 - 最大正向电流降额曲线

图。 2 - 前向功率耗散特性

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2

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文档编号： 89257

修订： 18 - NOV- 10