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VFT3045CBP

威世通用半导体

Trench MOS势垒肖特基整流器

光伏太阳能电池旁路保护

超低V

F

= 0.30 V ，在我

F

= 5.0 A

TMBS

特点

沟道MOS肖特基技术

低正向压降，低功率损耗

高效率运行

焊锡炉温度275 ℃以下。 10秒，每

JESD 22 - B106

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

根据IEC 61249-2-21定义的无卤素

ITO-220AB

1

VFT3045CBP

销1

3脚

销2

2

3

典型应用

用于太阳能电池的接线盒，作为一个旁路二极管

保护，采用直流正向电流不反向偏压。

主要特征

I

F（ AV ）

V

RRM

I

FSM

V

F

在我

F

= 15 A

T

OP

马克斯。

2× 15 A

45 V

200 A

0.39 V

150 °C

机械数据

案例：

ITO-220AB

塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

商业级

终端：

雾锡电镀引脚，焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验

极性：

由于标

安装扭矩：

最大10磅

每

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大重复峰值反向电压

每个器件

最大正向平均整流电流（图1）

每二极管

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在每个二极管的额定负载

从特马尔到散热器的隔离电压， T = 1分

工作结存储温度范围

结温在直流正向电流

没有反向偏置，T

≤

1 h

笔记

(1)

带散热器

(2)

符合IEC 61215版的要求。 2旁路二极管热试验

符号

V

RRM

I

F（ AV） （1）

I

FSM

V

AC

T

OP

, T

英镑

T

J (2)

VFT3045CBP

45

30

A

15

200

1500

- 40 + 150

≤

200

A

V

°C

°C

单位

V

文档编号： 89369

修订： 27 - OCT- 10

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