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新产品
V30100S ， VF30100S ， VB30100S ， VI30100S
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.39 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
3
2
V30100S
销1
销2
例
1
1
VF30100S
销1
销2
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020的LF最大峰值
245 ° C（用于TO- 263AB封装）
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，每JESD
22 - B106 （用于TO- 220AB ， ITO - 220AB和TO- 262AA
包）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
3脚
3脚
TO-263AB
K
K
TO-262AA
典型应用
A
NC
1
VB30100S
NC
A
K
散热器
2
3
对于高频转换器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
VI30100S
销1
销2
K
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
每
3脚
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
30 A
100 V
250 A
0.69 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
J
= 25℃时，L = 90毫亨
反向重复峰值电流
在T
p
= 2微秒， 1千赫，T
J
= 38 °C ± 2 °C
变化的电压率（额定V
R
)
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 88941
修订： 23 - OCT- 09
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
V
AC
T
J
, T
英镑
V30100S
VF30100S
VB30100S
100
30
250
230
1.0
10 000
1500
- 40 + 150
VI30100S
单位
V
A
A
mJ
A
V / μs的
V
°C
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1
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