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VLMR51 ..， VLMK51 ..， VLMY51 ..
威世半导体
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMR51 ..， VLMK51 ..， VLMY51 ..，
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/
焊锡点
热阻结/
环境
安装在PC板
铜总面积> 900毫米
2
t
p
10 s
测试条件
I
R
= 10 A
符号
V
R
I
F
I
FSM
PV
T
JMAX 。
T
AMB
T
英镑
R
thjs
R
thJA
价值
12
200
1000
530
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
50
100
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
K / W
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMR51 ..， RED
参数
发光强度
光通量
主波长
半强度角
正向电压
温度COEF网络cient我
V
温度COEF网络cient V
F
温度COEF网络cient
大教堂。
测试条件
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安，
0 °C
T
100 °C
I
F
= 140毫安，
0 °C
T
100 °C
I
F
= 140毫安，
0 °C
T
100 °C
部分
VLMR51Y1Z1
VLMR51Y1Z1
符号
I
V
V
DOM
V
F
TC
IV
TC
V
TC
dom 。
1.9
620
± 60
2.2
- 26.8
- 3.5
0.06
2.65
分钟。
2850
10.6
630
典型值。
马克斯。
5600
单位
MCD
lm
nm
度
V
MCD / K
毫伏/ K
纳米/ K
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMK51 ..， AMBER
参数
发光强度
光通量
主波长
半强度角
正向电压
温度COEF网络cient我
V
温度COEF网络cient V
F
温度COEF网络cient
大教堂。
测试条件
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安
I
F
= 140毫安，
0 °C
T
100 °C
I
F
= 140毫安，
0 °C
T
100 °C
I
F
= 140毫安，
0 °C
T
100 °C
部分
VLMK51Y1Z1
VLMK51Y1Z1
符号
I
V
V
DOM
V
F
TC
IV
TC
V
TC
dom 。
1.9
610
± 60
2.2
- 35.3
- 2.9
0.07
2.65
分钟。
2850
典型值。
4500
11.9
621
马克斯。
5600
单位
MCD
lm
nm
度
V
MCD / K
毫伏/ K
纳米/ K
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2
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文档编号83303
1.0版， 15 -APR- 10
