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VNQ830PEP-E
应用信息
请注意，如果该微处理器地面不是由设备地共享，则
R
GND
将产生的移位（我
S（上）最大
* R
GND
）中的输入阈值和状态输出
值。这种转变将取决于有多少设备上的几个变化情况
高侧驱动器共享相同的R-
GND
.
如果计算出的功率耗散要求使用大的电阻器，或几个设备
必须共享相同的电阻，那么ST建议采用以下解决方案2 。
3.1.2
解决方案2：二极管（D
GND
）在接地线
电阻（R
GND
= 1kΩ的）应插入并联到D
GND
如果该装置将被驱动
感性负载。这个小信号二极管之间可以多种不同的HSD安全共享。
另外，在这种情况下，接地网络的存在将产生一个移位（ j600mV ）在
输入阈值和状态的话，微处理器地是不常见的输出值
与装置接地。如果多于一个的HSD共享相同的这种转变不会发生变化
二极管/电阻网络。串联电阻输入和状态行也需要
防止这种情况，在电池电压瞬变时，电流超过绝对最大
投资评级。对于未使用的输入和STATUS引脚最安全的配置是给他们留下
悬空。
3.2
负载突降保护
D
ld
是必要的（瞬态电压抑制器） ，如果甩负荷峰值电压超过
V
CC
最大直流评级。这同样适用于该设备是否受在V瞬变
CC
线是大于那些在ISO的T / R 7637/1表所示。
3.3
单片机I / O保护
如果有接地保护网络的使用和负瞬态存在在V
CC
行，
控制引脚将被拉负。 ST表明插入一个电阻器（R
PROT
）在网上
防止μC的I / O引脚的锁存起来。
这些电阻的值是μC和漏电流之间的折衷的
电流与μC的闩锁限制需要被HSD的I / O （输入电平兼容）
I / O的：
- V
CCpeak
/ I
闭锁
≤
R
PROT
≤
(V
OHμC
- V
IH
- V
GND
) / I
IHMAX
例子
为满足下列条件：
V
CCpeak
= - 100V
I
闭锁
≥
20mA
V
OHμC
≥
4.5V
5kΩ
≤
R
PROT
≤
65kΩ.
推荐值如下：
R
PROT
= 10kΩ
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