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新产品
VT30L60C ， VIT30L60C
威世通用半导体
双Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.32 V ，在我
F
= 5.0 A
TMBS
TO-220AB
K
特点
TO-262AA
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
2
VT30L60C
销1
3脚
销2
例
3
1
VIT30L60C
销1
3脚
2
3
1
典型应用
对于高频转换器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管， DC / DC
转换器和电池反向保护。
销2
K
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 15 A
T
J
马克斯。
2× 15 A
60 V
200 A
0.45 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，以及商业级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
每
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
符号
V
RRM
VT30L60C
60
30
A
15
200
10 000
- 40 + 150
A
V / μs的
°C
VIT30L60C
单位
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
文档编号： 89380
修订： 07日-12月10
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