添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第200页 > VT83N2 > VT83N2 PDF资料 > VT83N2 PDF资料3第11页
选择光电
斜率特性
阻力在此目录与列出的光电管图
光强度的结果的一系列曲线具有特征性的不同
山坡上。这是光电池,因为在一个重要特征
许多应用中,不仅是电阻的一个绝对值
定光量的关注,而且该电阻的值
光源是变化的。指定该关系的一种方式是通过使用
参数(伽马),它被定义为一个直线的传球
过电阻曲线上的两个特定点。的两个点
使用珀金埃尔默定义
γ
10勒克斯( 0.93 FC)和100勒克斯( 9.3
FC ) 。
登录镭
登录铷
γ
= ------------------------------------
-
登录一
吊球B
登录
(
Ra
Rb
)
= ------------------------------
登录
(
b
a
)
0.01 FC
0.63 – 1.39
同样地,对于双晶光电元件的匹配因数,这是
定义为元件之间的电阻的比值,将
增加与减少光量。
双晶光电典型的匹配比
0.1 FC
0.74 – 1.27
1.0 FC
0.75 – 1.25
10 FC
0.76 – 1.20
100 FC
0.77 – 1.23
暗阻
正如其名称所暗示的,暗电阻是该单元的电阻
在零照度的照明条件。在某些应用中,这
由于暗电阻定义可以是非常重要的是什么
最大“漏电流”可以预期,当一个给定的电压为
跨电池单元施加。过高的漏电流可能会导致错误的
触发在一些应用中。
暗电阻通常被定义为最小电阻
可以预期在5秒后的单元已经被从取出
光照强度为2 FC 。暗电阻典型值往往是在
500K欧姆至20M欧姆范围。
应用光电是两类的:数字或
模拟。用于数字或ON-OFF类型的应用程序,如火焰
探测器,细胞陡坡其电阻与光
强度曲线是适宜的。供的模拟或测量类型
应用,如相机的曝光控制,细胞与浅
斜坡可能更适合。
电阻容差
一光电管的灵敏度被定义为它的电阻在一个特定的
照明的水平。由于没有两个光电池是完全一样的,
灵敏度被表示为一个典型的电阻值加上一个允许
耐受性。指定电阻的两个值及其公差
对于只有一个光平。用于从该被指定的温和游
光水平的容差级别仍或多或少恒定。不过,
当光水平的容差级别仍或多或少恒定。
然而,当光的水平是几十年比更大或更小
参考电平的容差可以显着不同。
在光照强度的减小,扩散在公差水平
增加。为了提高光照强度的电阻容差会
拧紧。
电阻温度系数。
每种类型的光导材料都有其自身的电阻相
温度特性。另外,温度系数
光电导体也依赖于光量的细胞是
工作在。
从各种材料的曲线,很明显,该
温度系数的光水平的倒数funstin 。因此,为了
以减少温度的问题,期望能有细胞
运行在最高的光量成为可能。
响应速度
反应速度是速度的度量,在该光电池
响应的变化,从光到暗或从暗到亮。崛起
时间被定义为所需的时间的所述光导
光电池达到其最终值的1-1 / E (或约63 % ) 。
6

深圳市碧威特网络技术有限公司