W25Q16CV
7.2.8读状态寄存器1 （ 05H ）和读状态寄存器- 2 （ 35H ）
读状态寄存器指令允许8位的状态寄存器进行读取。该指令是
通过驱动/ CS低，转移指令代码“ 05H ”的状态寄存器- 1或“ 35H ”的状态进入
注册- 2为在CLK的上升沿DI引脚。状态寄存器的位被移出的DO
销在CLK的与最显著位（MSB）的下降沿首先，如图7中的状态
寄存器位见图3a和3b和包括BUSY ， WEL ， BP2 ， BP0 ，结核病，美国证券交易委员会， SRP0 ，
SRP 1 ， QE ， LB [ 3 ： 1 ] ， CMP和SUS位（见状态寄存器节前面的这个数据表） 。
在读状态寄存器指令可用于在任何时间，甚至在一个程序，擦除或写
状态寄存器周期正在进行中。这允许BUSY状态位进行检查，以确定何时
周期已经完成，如果该设备可以接受其他指令。状态寄存器可以读取
连续地，如示于图7的指令，通过驱动/ CS为高电平时完成。
/ CS
模式3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
CLK
模式0
指令（ 05H或35H ）
DI
（IO
0
)
DO
（IO
1
)
高阻抗
状态寄存器1或2列
7
6
5
4
3
2
1
0
7
状态寄存器1或2列
6
5
4
3
2
1
0
7
*
- MSB
*
*
图7.读状态寄存器指令序列图
7.2.9写状态寄存器（ 01H ）
写状态寄存器指令允许写入状态寄存器。唯一的非易失性状态
寄存器位SRP0 ，美国证券交易委员会，结核病， BP2 ， BP1 ， BP0 （位7至2状态寄存器-1 ）和CMP ， LB3 ， LB2 ，
LB1 ， QE ， SRP 1 （位状态的14通8注册- 2 ）可以写入。所有其它状态寄存器的位
位置是只读的，并且不会受写状态寄存器指令。 LB [ 3：1]是不
挥发OTP位，一旦它被设置为1时，它不能被清除为0。状态寄存器中的位如
图3和7.1中描述。
写非易失性状态寄存器位，一个标准的写使能（ 06H ）指令必须事先有
该设备接受写状态寄存器指令被执行死刑（状态寄存器位WEL
必须等于1） 。一旦写使能后，指令通过驱动/ CS为低电平时，发送指令进入
代码“ 01H ” ，然后再写入状态寄存器的数据字节，如图8 。
写挥发性状态寄存器位，写使能为挥发性状态寄存器（ 50H ）指令必须
之前写状态寄存器指令已被执行（状态寄存器WEL位保持为0 ） 。
然而， SRP 1和LB3 ， LB2 ， LB1不能从“1”变为“ 0”，因为对OTP保护的
这些位。当关闭电源时，挥发性状态寄存器的位值将丢失，并且所述非易失性状态
寄存器位的值将被上电时再恢复。
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出版日期： 2011年4月1日
版本C
