W9712G6JB
7.2.3.1
扩展模式寄存器用于OCD阻抗调整
可以使用以下EMRS模式下完成的OCD阻抗调整。在驱动模式下，所有的输出
被赶出来了DDR2 SDRAM 。在驱动器（ 1 ）模式下，所有的DQ ， DQS信号被驱动为高电平，所有
的DQ
信号被拉低。在驱动器（ 0 ）模式下，所有的DQ ， DQS信号被拉低，所有的
的DQ
信号被驱动为高电平。在调整模式中，必须使用BL = 4的操作码的数据。如果强迫症
校准默认情况下，输出驱动特性具有18欧姆时的标称阻抗值
额定温度和电压条件。 OCD仅适用于正常的充满力量的输出驱动器
通过EMR （1）设置限定，如果降低强度设定，强迫症默认驱动特性不
适用的。当OCD校准调节模式时， OCD默认的输出驱动器特性
不适用。后OCD校准完成或驱动强度设置为默认值，随后
EMRS命令不打算调整强迫症的特点，必须指定A [ 9 ： 7 ]为“ 000” ，以
保持默认或校准值。
表1 OCD驱动模式程序
A9
0
0
0
1
1
7.2.3.2
A8
0
0
1
0
1
A7
0
1
0
0
1
手术
OCD校准模式退出
驱动器（ 1 ） DQ ， DQS和高
的DQ
低
驱动器（ 0 ） DQ ， DQS和LOW
的DQ
高
调整模式
OCD校准默认
OCD阻抗调整
要调整输出驱动器阻抗，控制器必须伴随着发出调整指令EMRS
4位的脉冲串码的DDR2 SDRAM作为在表2中对于此操作，突发长度必须被设定为BL =
4 ，通过MRS命令前启动OCD和控制器必须驱动突发代码给所有的DQ在
同一时间。
T0
在表2中表示所有的DQ位在比特时间0，D
T1
在比特时间1，依此类推。驱动程序
输出阻抗调整为所有DDR2 SDRAM同时DQS和OCD校准后，所有
DQS和一个给定的DDR2 SDRAM的DQS “S将调整到相同的驱动强度设置。该
最大步数调整为16，当达到了极限，进一步增加或
递减的代码没有影响。默认设置可能是16步范围内的任何一步。当
从先前设定值调节模式发出命令， AL必须应用。
表2 -OCD调整模式程序
4位突发代码输入到所有的DQ
D
T0
D
T1
D
T2
D
T3
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
1
0
其他组合
手术
拉驱动力
下拉驱动力
NOP （空操作）
NOP （空操作）
增加1步
NOP
1步降低
NOP
NOP
增加1步
NOP
1步降低
增加1步
增加1步
1步降低
增加1步
增加1步
1步降低
1步降低
1步降低
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出版日期： 2010年3月15日
修订版A01
