W9751G6JB
注意事项：
1.为了保证ODT关闭，V
REF
必须是有效和低电平必须应用到所述ODT管脚。
2. V
REF
必须在
300毫伏相到V
DDQ
/ 2 ，在电源斜坡时间。
3. V
DD
/V
DDL
电压斜坡上升时间必须不大于200毫秒从当V
DD
坡道从300 mV至V
DD
分钟。
4. V
DDQ
从当V电压斜坡上升时间
DD
最小的是V实现
DD
当V
DDQ
最小的是V实现
DDQ
必须不
大于500毫秒
t
CH
t
CL
CLK
CLK
t
IS
t
IS
CKE
ODT
命令
NOP
PRE
所有
EMRS
太太
PRE
所有
REF
REF
太太
EMRS
EMRS
任何
CMD
400nS
t
RP
t
MRD
DLL
启用
DLL
RESET
t
MRD
t
RP
t
RFC
分钟200周期
t
RFC
t
MRD
按照OCD
流程图
t
OIT
强迫症
CAL 。模式
出口
强迫症
默认
图1 - 上电后初始化序列
7.2
模式寄存器和扩展模式寄存器操作
对于应用程序的灵活性，突发长度，突发类型， CAS延迟， DLL复位功能，恢复写
时间（ WR ）是用户定义的变量，必须用一个模式寄存器设置进行编程（ MRS）
命令。此外， DLL禁用功能，驱动器阻抗，添加剂CAS延时， ODT （开模
终止） ，单端选通和OCD （片外驱动器阻抗调整）也是用户
定义的变量，必须用扩展模式寄存器设置（ EMRS ）命令进行编程。
模式寄存器（ MR）或扩展模式寄存器EMR内容（1 ） ， EMR （ 2 ）和EMR （ 3 ）可以
通过重新执行MRS或EMRS命令来改变。即使用户只选择一个修改
在MR或EMR （1） ，电子病历的子集， （2）和电子病历（3）的变量中，所有内部处理的变量
注册发行的MRS或EMRS命令时，必须重新定义。
刘健， EMRS和复位DLL不影响数组的内容，这意味着重新初始化包括
可在上电后不影响数组的内容任何时候被执行。
7.2.1
模式寄存器设置命令（ MRS）
(
CS
= "L" ，
RAS
= "L" ，
CAS
= "L" ，
WE
= "L" ， BA0 = "L" ， BA1 = "L" ， A0到A12 =寄存器数据）
模式寄存器中存储的数据，用于控制的DDR2 SDRAM的各种操作模式。它
节目CAS延迟，突发长度，突发序列，测试模式， DLL复位，恢复写（WR ）和
不同供应商的特定选择，使DDR2 SDRAM可用于各种应用。默认
上电后没有被定义的模式寄存器的值，因此，模式寄存器必须是
初始化为合适的操作过程中进行编程。
在DDR2 SDRAM应与CKE所有银行预充电状态已经写入前高
模式寄存器中。该模式寄存器设定指令周期时间（t
MRD
）来完成写入，需要
操作模式寄存器。模式寄存器中的内容可以使用相同的命令来改变
并且在正常操作期间的时钟周期的要求，只要所有银行都在预充电状态。
模式寄存器分为取决于功能性的各种领域。突发长度被定义
A [ 2 ： 0 ]与4个选项和8位突发长度。突发长度解码与DDR兼容
出版日期： 2011年11月29日
修订版A05
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