UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
10N80
10A ， 800V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
10N80
UTC采用先进的专有的，平面的
条纹， DMOS技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低门
充电和操作具有低栅极电压。该装置是
适合用作负载开关或PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 1.1 @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型值45nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
= 15pF的典型）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
10N80L-T3P-T
10N80G-T3P-T
10N80L-TF1-T
10N80G-TF1-T
10N80L-TF2-T
10N80G-TF2-T
包
TO-3P
TO-220F1
TO-220F2
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
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QW-R502-218.F
