10N75
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
测试条件
民
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
750
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
DS
=750V, V
GS
=0V
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
V
DS
= 640V ，T
C
=125°C
前锋
V
DS
=0V ,V
GS
=30V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
DS
=0V ,V
GS
=-30V
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
2.0
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 50V ，我
D
= 5.0A （注1 ）
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=600V, V
GS
= 10V ，我
D
=10A
栅极 - 源电荷
Q
GS
（注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 350V ，我
D
= 10A ，R
G
=25
V
DS
= 10V （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 10.0A ，V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0V时，我
S
=10.0A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的（注1 ）
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注： 1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
2.基本上是独立工作温度
典型值
最大
单位
V
V /°C的
A
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
μC
0.98
10
100
100
-100
4.0
1.3
0.93
5.8
2150 2800
180
230
15
20
45
13.5
17
50
130
90
80
58
110
270
190
170
10.0
40.0
1.4
730
10.9
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3 6
QW-R502-501.b
