UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
10N50
初步
功率MOSFET
10A ， 500V N沟道
功率MOSFET
1
描述
在UTC
10N50
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC的先进技术，为客户提供平面条形
和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态
电阻和出色的开关性能。它也能承受
在高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
10N50
一般适用于高效率开关
模式电源，有源功率因数校正和电子
基于半桥拓扑灯镇流器。
TO-220
1
TO-220F1
特点
* R
DS （ ON）
=0.68 @ V
GS
=10V
*高开关速度
* 100 ％的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
10N50L-TA3-T
10N50G-TA3-T
10N50L-TF1-T
10N50G-TF1-T
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
包
TO-220
TO-220F1
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
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1 6
QW-R502-531.c
