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Z86E02 / E04 / E08 / E09 SL1995
Z8 CMOS OTP微控制器
14
表8. EPROM阵列读取模式条件（续）
明确
时钟
PGM
引脚11
引脚12
引脚13
引脚12
引脚13
引脚14
参见图9
参见图9
V
IH
ARRAY EPROM编程和验证模式操作
1.执行EPROM阵列读/写模式条目（见
EPROM
ARRAY读/写模式进入
然后再继续第10页）上的操作
第2步。
2.脉冲的复位引脚复位地址计数器。参见图10和
表9.请参考
表14
供的最小和最大宽度
CLOCK信号。
3.地址计数器在所述时钟信号的上升沿。
4.使用CLEAR引脚复位地址计数器，该地址计数器后
点，以解决
0000h.
5.通过降低PGM到V进行编程操作
IL
。看
图10.请参阅
表14
供的最小和最大宽度
PGM信号。
6.程序操作完成时， PGM提高回V
IH
.
7.验证操作是通过降低OE到V进行
IL
和读出
在端口2的数据。引脚P20至P27表示EPROM数据D0 D7 ，
分别。
8. A V
OH
在端口2 - 电平读对应于一个
1
状态，而V
OL
水平
对应于
0
一级存储在EPROM阵列中。
9.请参考
表14
为操作环境的过程中的最小和最大宽度
EPROM读取模式和数据访问时间。
10.如果读取的数据表明，该地址位置还未被编程，则
重复步骤5-7 ，直到该数据读所示，该地址是
编程。
11.如果该地址位置是不是第25尝试后编程的，则该设备是
考虑失败。
12.如果该地址位置被编程，则地址单元是
overprogrammed与三次累计的总编程时间。
13.下一个地址通过脉冲时钟由高到低的V访问
IH
，那么低
V
IL
.
PS009201-0301
编程特定网络阳离子
