ZHB6718
NPN晶体管
电气特性（在T
AMB
= 25°C ).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
分钟。
20
20
5
典型值。
100
27
8.3
100
100
100
8
70
130
0.89
0.79
200
300
200
100
400
450
360
180
140
23
170
400
30
兆赫
pF
ns
ns
15
150
200
1.0
MAX 。 UNIT
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=10mA*
I
E
=100A
V
CB
=16V
V
EB
=4V
V
CES
=16V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA*
I
C
= 2.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2V*
I
C
= 2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 6A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=-I
B2
=10mA
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
转让
比
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%.
