PNP硅平面中功率
高压晶体管
第1期？四月94
特点
* 400伏V
首席执行官
* 0.5安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX758
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
电子线
TO92兼容
价值
-400
-400
-5
-1
-500
1
5.7
-55到+200
单位
V
V
V
A
mA
W
毫瓦/°C的
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
-100
-100
-100
-0.30
-0.25
-0.50
-0.9
-0.9
50
50
40
3-267
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-320V
V
CE
=-320V
V
EB
=-4V
I
C
= -20mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA*
IC = -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1mA ，V
CE
=-5V
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -200mA ，V
CE
=-10V*
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极截止
当前
-400
-400
-5
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
静态正向电流
FE
传输比
