对产品线
Diodes公司
ZXLD1370
应用信息
（续）
假定累积的上升时间和下降时间可以占到最大的时期，最大为10％
在这种条件下允许的频率为：
t
期
= 20 * DT
F = 1 /吨
期
= 515kHz
这个频率是建议的频率范围中的设备可处理范围内的，因此ZXMN6A09K是
推荐使用与ZXLD1370的频率范围为300kHz至500kHz ） 。
在与ZXLD1370配合使用的MOSFET推荐的总栅极电荷小于30nC 。
结温估算
最后， ZXLD1370结温度可以用下式来估算：
ZXLD1370的总电源电流：
I
Qtot
≈
I
Q
+ F Q
G
在那里我
Q
=总静态电流I
Q- IN
+ I
Q- AUX
功率消耗ZXLD1370
P
IC
= V
IN
(I
Q
+ F 的Qg ）
或在单独的电源电压，V字形
AUX
＆ LT ; 15V
P
IC
= V
IN
I
Q- IN
+ V
AUX
(I
Q- AUX
+ F 的Qg ）
T
J
=
T
A
+ P
IC
R
日（ JA ）
=
T
A
+ P
IC
(R
TH （JC）
+ R
TH （CA ） ）
其中总的静态电流IQ
合计
由静态电源电流（IQ）和充电所需的电流和
放电的功率MOSFET的栅极。而且外壳和周围环境之间的热阻的部分取决于
PCB的特性。
二极管的选择
为了获得最大的效率和性能，整流器（ D1）应该是一个快速的低电容肖特基二极管*低
反向漏电流在最大工作电压和温度。肖特基二极管也提供了更好的效率
比硅PN结二极管时，由于更低的正向电压和降低的恢复时间的组合。
选择带峰值额定电流以上的峰值线圈电流和连续电流额定值更高份是重要的
比最大输出负载电流。特别是，建议有一个额定电压高于至少15％的
最大晶体管电压，以确保在开关节点的振铃和额定电流至少在安全运行
比一般的二极管电流高出10％。的额定功率，通过计算通过所述二极管的功率损耗进行验证。
较高的正向电压和过冲，由于扭转硅二极管的恢复时间会在增加峰值电压
外部MOSFET的漏极。如果一个硅二极管时，应小心以确保总电压
外部MOSFET的漏极，包括纹波不超过规定的最大值。
*适合的肖特基二极管是PDS3100 （二极管公司） 。
输出电容
一个输出电容器，可能需要以限制干扰或对特定的EMC目的。对于升压和降压 - 升压
稳压器，输出电容器提供能量给负载时，续流二极管是在第一反向偏置
切换子区间。输出电容器的降压拓扑结构会简单地降低LED电流纹波的电感下方
电流纹波。换句话说，该电容器通过LED （多个）从一个三角形的斜坡变化的电流波形，以一
更多的正弦版本不改变平均电流值。
在所有的情况下，输出电容被选择为提供LED电流的期望的电流纹波（通常推荐
是平均不到40 ％的LED电流）。
BUCK ：
C
产量
=
8 X F
SW
Δ
I
L
PP
个R
LED
x
Δ
I
LED
PP
ZXLD1370
文件编号： DS32165修订版3 - 2
21 35
www.diodes.com
2011年2月
Diodes公司
