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对产品线
Diodes公司
ZXLD1370
应用信息
（续）
诊断信号应在设备中被忽略
开始 - 弥补100μS 。该设备启动顺序将
无论是在器件的第一电源被启动
或PWM信号之后被保持低电平的时间超过15毫秒，
启动该装置的待机状态。
特别是，在第一个100μs的诊断是
信令过电流然后一个外的规
状态。这两个事件是由于所述充电
电感器和不是真正的故障情况。
VR EF
旗
0V
状态
阿UT
例如ü香格里拉吨IO
版本
④此吨
2 2 5 M·V / R 1
线圈电流
0A
100us
在启动过程图36.诊断
提高V
AUX
在升压电源电压和降压 - 升压模式
当大于8V的输入电压为低，栅极电压也将降低8V 。这意味着，根据
外部MOSFET的特性，栅极电压可能不够充分提高了功率MOSFET。这
增强技术就显得尤为重要，当输出MOSFET工作在全电流，由于升压电路
使栅极电压大于12V更高。这保证了MOSFET完全降低双方的力量
耗散和MOSFET本身的热失控的危险性。一个额外的二极管D2和去耦电容C3可以
使用时，如在图36所示，以产生在V升压电压
AUX
如果在V的输入电源电压
IN
低于8V 。
由此，使与全部的输出电流时，操作V中的设备
IN
是在6V的最小值。在低的情况下
电压阈值的MOSFET ，所以通常不需要自举电路。
图37.自举电路，升压和降压 - 升压型低电压操作
电阻器R2可以用于限制电流在自举电路，以降低电路本身的影响
LED的准确性。对LED电流的影响通常是下降了最大5 ％，较标称电流
值由检测电阻器来设定。
齐纳二极管D3是用来限制在V的电压
AUX
PIN码以低于60V 。
由于部件数量的增加和电流精度的损失，所述的自举电路，仅推荐
当系统必须在低输入电压的条件下连续运行及高负载电流（图6和8V之间） 。
其他情况下，如低输入电压，在低负载电流或瞬态低输入电压，在高电流应
评估一笔帐外部MOSFET的功耗。
ZXLD1370
文件编号： DS32165牧师4 - 2
28 36
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
