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对产品线
Diodes公司
ZXLD1370
应用信息
（续）
升压/降压 - 升压模式
IMOSFET
RMS
=
D
X ILED
1
D
MOSFET的电阻的功耗为：
Presistive
=
IMOSFET
RMS2 X RDS
ON
开关功率损耗
计算开关MOSFET的开关损耗取决于影响都导通和关断的因素很多。运用
一阶粗略的估计， MOSFET的开关功耗为：
C
x垂直2IN X FSW X ILOAD
Pswitching
=
RSS
IGATE
哪里
C
RSS
是MOSFET的反向传输电容（一个数据表参数） ，
f
SW
为开关频率，
I
门
是MOSFET的导通阈值MOSFET栅极驱动器的汇/源出电流。
匹配与所述控制器的MOSFET的，主要是根据栅极电压的上升和下降时间。最好的上升/下降
时间中的应用是基于许多要求，如电磁干扰（传导和辐射） ，开关损耗，铅/电路
电感，开关频率等多快的MOSFET可被开启和关闭是有关如何快速栅
MOSFET的电容可以被充电和放电。 C的差别（以及相对总闸的关系
电荷的Qg ） ，导通/关断时间和MOSFET驱动器的额定电流可写为：
dV
的Qg
dt
=
=
I
I
哪里
DT =导通/关断时间
的dV =栅极电压
C =栅极电容的Qg = / V
我=驱动电流 - 恒定电流源（对于给定的电压值）
这里所述的恒定电流源的“I” ，通常被近似与在给定的驱动器的输入电压的峰值驱动电流。
实施例1）
使用DMN6068 MOSFET （V
DS （ MAX）
= 60V ，我
D（最大）
= 8.5A):
Q
G
= 10.3nC在V
GS
= 10V
ZXLD1370我
PEAK
= I
门
= 300毫安
dt
=
Qg
IPEAK
=
10.3nC
=
35ns
300mA
假定累积的上升时间和下降时间可以占到最大的时期，最大为10％
在这种条件下允许的频率为：
t
期
= 20 * DT
F = 1 /吨
期
= 1.43MHz
该频率远高于最大频率的设备可处理的，因此DNM6068可以与所使用的
ZXLD1370在推荐的装置（在300kHz至1MHz）的频率的整个频谱。
实施例2）
使用ZXMN6A09K （V
DS （ MAX）
= 60V ，我
D（最大）
= 12.2A):
Q
G
= 29nC在V
GS
= 10V
ZXLD1370我
PEAK
= 300毫安
dt
=
Qg
IPEAK
=
29nC
=
97ns
300mA
ZXLD1370
文件编号： DS32165牧师4 - 2
20 36
www.diodes.com
2011年3月
Diodes公司
