对产品线
Diodes公司
ZXMN10A11G
超前信息
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注5 ）
正向跨导（注5 & 6 ）
二极管的正向电压（注5 ）
反向恢复时间（注6 ）
反向恢复电荷（注6 ）
动态特性（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注7 ）
总栅极电荷（注7 ）
门源费（注7 ）
栅 - 漏极电荷（注7 ）
导通延迟时间（注7 ）
导通上升时间（注7 ）
关断延迟时间（注7 ）
关断下降时间（注7 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
100
2.0
典型值
4
0.85
26
30
274
21
11
3.5
5.4
1.4
1.5
2.7
1.7
7.4
3.5
最大
1
±100
4.0
0.35
0.45
0.95
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.6A
V
GS
= 6V ，我
D
= 1.3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.6A
I
S
= 1.85A ，V
GS
= 0V
I
F
= 1.0A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
6.辅助设计只，不受生产测试。
7.开关特性是独立的工作结点温度。
ZXMN10A11G
文件编号DS32056版本6 - 2
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www.diodes.com
2010年1月
Diodes公司
