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ZXT10N20DE6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
8
90
115
190
0.96
0.85
200
300
200
100
100
400
450
360
180
140
23
170
400
30
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
20
20
5
典型值。
100
27
8.3
100
100
100
15
150
135
250
1.0
0.90
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=16V
V
EB
=4V
V
CES
=16V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 3.5A ，我
B
=100mA*
I
C
= 3.5A ，我
B
=100mA*
I
C
= 3.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 0.2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 6A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=3A
I
B1
=I
B2
=10mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年9月
4
