ZXTN2005Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
30
45
105
160
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
300
200
40
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
950
860
400
450
275
55
150
48
33
464
pF
ns
分钟。
60
60
25
7.0
典型值。
120
120
35
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
45
70
130
200
1050
960
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 1 A， RB
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100 A
V
CB
= 50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
=100 C
V
CB
= 50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
=100 C
V
EB
= 6V
I
C
= 500毫安，我
B
= 10毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安*
I
C
= 2A ，我
B
= 10毫安*
I
C
= 6.5A ，我
B
= 150毫安*
I
C
= 6.5A ，我
B
= 150毫安*
I
C
= 6.5A ，V
CE
= 1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1V*
I
C
= 1A ，V
CE
= 1V*
I
C
= 7A ，V
CE
= 1V*
I
C
= 20A ，V
CE
= 1V*
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V
f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
= 10V,
I
B1
= -I
B2
= 100毫安
1k
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2005年6月
半导体
4
