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ZXTP25100CZ
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压（基
开）
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
BV
CBO
BV
首席执行官
-115
-100
-180
-140
V
V
I
C
= -100μA
I
C
= -10mA
(*)
BV
EBO
BV
ECX
-7
-7
-8.4
-8.3
V
V
I
E
= -100μA
I
E
= -100μA ，R
BC
<为1kΩ或 -
0.25V > V
BC
> 0.25V
I
E
= -100μA
BV
ECO
-7
-8.8
V
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<-1
-50
-0.5
-100
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
CB
=-115V
V
CB
= -115V ，T
AMB
=100°C
V
CE
= -90V ，R
BE
<为1kΩ或 -
0.25V ＆ LT ; V
BE
＆ LT ; 1V
V
EB
= -5.6V
I
C
= -100mA ，我
B
= -1毫安
(*)
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
(*)
I
C
= -500mA ，我
B
= -20mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，我
B
= -100mA
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -10mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -100mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -500mA ，V
CE
= -2V
(*)
I
C
= -1A ，V
CE
= -2V
(*)
<-1
-140
-80
-180
-155
-860
-800
200
180
110
20
350
320
190
35
180
153
14.1
15.8
41
411
89
-50
-210
-115
-315
-225
-950
-900
500
基射极饱和
电压
基Eitter开启
电压
静态正向电流
传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
兆赫
pF
20
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -20mA ，V
CE
= -15V
F = 100MHz的
V
EB
= -0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
cc
= -10V ，我
c
= -500mA
I
B1
= -I
B2
= -50mA
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
问题1 2007年12月
捷特科PLC 2007
5
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