集成
电路
系统公司
ICS840002-01
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDO
+ 0.5V
89℃ / W （ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDA
V
DDO
I
DD
I
DDA
I
DDO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
2.375
典型
3.3
3.3
3.3
2.5
最大
3.465
3.465
3.465
2.625
100
12
5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -30°C
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
输入高电压
输入低电压
输入
HIGH CURRENT
OE ， F_SEL0 ， F_SEL1
nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
OE ， F_SEL0 ， F_SEL1
I
IL
输入
低电流
nPLL_SEL ， MR，
nXTAL_SEL ， TEST_CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，
V
IN
= 0V
V
DDO
= 3.465V±5%
V
DDO
= 2.5V±5%
V
DDO
= 3.3V或2.5V ± 5％的
测试条件
最小典型
2
-0.3
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
5
150
-150
-5
2.6
1.8
0.5
单位
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
OH
V
OL
输出高电压;注1
输出低电压;注1
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量信息，输出负载测试电路。
840002AG-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。 B 2006年1月13日
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