DS3232M
±5ppm、内½SRAM的I
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C实时时钟
储器地址计数器的½前½½。为了从从机读取单个字
节，主机发送START条件，写从机地址字节（R / W = 1），
然后读取数据字节并以NACK指示终止传输，然后产生
STOP条件。由于实际应用中，无法要求主机跟踪存储
器地址计数器，因此应在读操½时修改地址计数器。
读操½时的地址计数器修改：可以采用空的写操½将地
址计数器指向一个特定值。为此，主机可以产生一个
开始条件，写从机地址字节（R / W = 0），写入需要读
取数据的存储器地址，产生一次重复START条件，写
从机地址字节(R/W = 1)，读取数据并以ACK或NACK响
应，最后发送STOP条件。采用重复START条件指定起
始存储器½½的读操½示例，请参见图6。
从从机读取多个字节：可以通过读操½在一次数据传输
过程中读取多个字节。从从机读取多个字节时，主机在
终止传输之前，如果需要继续读取另一个字节只需简
单地发出ACK以应答数据字节，主机读取最后一个字节
后，必须发出NACK指示终止传输，然后产生停止条件。
RST也为漏极开路输出，½引脚内部提供了上拉至V
CC
的
50kΩ电阻(R
PU
)，无需外接上拉电阻。
SDA和SCL上拉电阻
SDA为漏极开路输出，需要外接上拉电阻，以实现逻辑高
电平。
由于器件不½用时钟扩展功½，因此SCL可以连接具有漏
极开路输出(带上拉电阻)或CMOS输出驱动器(推½输出)的
主机。
电池充电保护
器件具有Maxim的冗½电池充电保护电路，可防止对任½
外部电池充电。
定购信息
部分
温度范围
PIN- PACKAGE
8 SO
DS3232MZ+
-40°C至+ 85°C
+表示无铅（ Pb计） /符合RoHS指令标准的封装。
应用信息
电源去耦
½用DS3232M时，为获得最½工½性½，采用0.1μF和/或
1.0μF电容对V
CC
和/或V
BAT
电源进行去耦。½可½采用高
质量的表贴陶瓷电容。表贴元件可减小引线电感、提高性
½，陶瓷电容具有较½的高频响应，适用于去耦应用。
如果在电池供电期间无需进行通信，可以省去V
BAT
去耦电容。
封装信息
如需最近的封装外½信息和焊盘布局(占½面积)，请查询china.
maxim-ic.com/packages 。请注意，封装编码中的
“+”“#”或
、
“-”仅表示RoHS状态。封装图中可½包含不同的尾缀字符，½
封装图只与封装有关，与RoHS指令状态无关。
封装类型
8 SO
封装编码
S8MK+1
外½编号
21-0041
焊盘布局编号
90-0096
½用漏极开路输出
INT / SQW为漏极开路输出，因此需要外接上拉电阻，以实
现逻辑高电平。上拉电阻值通常在1kΩ至10MΩ之间。
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