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RY / BY ＃ ：就绪/忙＃
该RY / BY ＃是一个专用，开漏输出引脚
表示嵌入算法是否
进度或完成。该RY / BY ＃状态后有效
最后WE＃脉冲的命令中的上升沿
序列。由于RY / BY ＃是一个漏极开路输出，
几个RY / BY ＃引脚可以连在一起并行
带有上拉电阻到V
CC
.
如果输出为低（忙） ，所述设备被积极地擦除
或编程。 （这包括在编程
擦除挂起模式）。如果输出为高电平（就绪） ，
该设备已准备好读取阵列数据（包括在
擦除挂起模式） ，或处于待机模式。
表6示出了用于RY / BY＃输出。图14，图17
和18显示RY / BY ＃复位，编程和擦除
操作，分别。
表6示出了用于切换位我上DQ6的输出。
图6示出了切换位算法。图20中的
“AC特性”部分显示的触发位时序
图。图21示出之间的差异
DQ2和DQ6以图形的形式。又见小节
化上DQ2 ：触发位II 。
DQ2 ：触发位II
在DQ2的“触发位II ” ，与DQ6使用时， indi-
凯茨一个特定的扇区是否被积极地擦除
（即，嵌入式擦除算法正在进行中） ，
或者该部门是否擦除暂停。切换位
二是后最终WE＃脉冲的上升沿有效
命令序列。
DQ2切换时，系统读取的地址
已选择era-这些部门内
肯定。 （该系统可以使用两种OE ＃或CE ＃为
控制读取周期）。但是DQ2不能区分
该部门是否正在积极擦除或擦除可持
挂起。 DQ6 ，通过比较，指示是否
设备正在积极擦除，或者在擦除挂起，但
不能区分哪个部门都选择era-
肯定。因此，这两个状态位所需的扇区和
模式信息。请参考表6比较输出
为DQ2和DQ6 。
图6示出流程图的翻转比特算法
形式，而部分“ DQ2 ：触发位II ”的解释
算法。又见DQ6 ：切换位I小节。
图20示出的触发位时序图。身材
图21示出在DQ2和DQ6之间的差异
图形化的形式。
DQ6 ：切换位I
切换位我上DQ6表示是否嵌入式
编程或擦除算法正在进行或完成，
或设备是否已进入擦除挂起
模式。切换位我可以随时读取地址，并且是
后最终WE＃脉冲的上升沿有效
该程序或擦除命令序列（前
操作） ，并在扇区擦除超时。
在嵌入式编程或擦除算法
操作中，连续读周期的任何地址
引起DQ6切换。该系统可使用任一OE＃
或CE ＃控制的读周期。当操作
完成后， DQ6停止切换。
经过擦除命令序列写入，如果所有
选择擦除扇区保护， DQ6切换
为约100微秒，然后返回到读阵列
数据。如果不是所有选定行业的保障，
嵌入式擦除算法擦除未受保护
部门，而忽略选定行业是
受保护的。
该系统可以使用DQ6和DQ2在一起来确定
矿井是否部门积极擦除或使用擦除
暂停。当该装置正积极擦除（即，
嵌入式擦除算法正在进行中） ， DQ6
切换。当设备进入擦除挂起
模式， DQ6停止切换。然而，系统必须
还可以使用DQ2来确定哪些领域是擦除
还是擦除暂停。或者，系统可以使用
DQ7 （见DQ7小节：数据＃查询） 。
如果一个程序的地址属于受保护的部门，
DQ6程序后翻转约1微秒
写入命令序列，然后，返回到读
阵列的数据。
DQ6还擦除挂起程序中切换
模式，并停止切换，一旦嵌入
程序算法完成。
阅读切换位DQ6 / DQ2
请参考图6，用于下面的讨论。当时─
以往的系统最初开始读触发位
状态，它必须在连续至少两次读DQ7 - DQ0
确定是否触发位被触发。典型地，该
系统将注意到并存储切换位的值
后的第一个读操作。之后的第二读时，系统
将比较的切换位用的新值
第一。如果触发位是不切换，该装置具有的COM
pleted编程或擦除操作。该系统可
阅读下面的读上DQ7 - DQ0阵列数据
周期。
然而，如果在最初的两个读周期中，系统
确定该切换位还是切换，所述
系统还应该注意DQ5的值是否是
高（见DQ5一节） 。如果是，则系统
这时应再次确定触发位是否
来回切换，因为切换位可能已停止瓶酒
岭大战就像DQ5去高。如果触发位不再
来回切换，该设备已成功完成
编程或擦除操作。如果它仍然翻转，则
设备未完成的操作成功，
而且系统必须写入复位命令返回
读取阵列的数据。
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Am29LV200B
