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GD75PIL120C6S
IGBT模块
IGBT逆变器
T
C
= 25° ，除非另有说明
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
P
合计
T
SC
描述
集电极 - 发射极电压@ T
j
=25℃
栅极 - 发射极电压
集电极电流
@ T
j
=25℃
@ T
C
=25℃
@ T
C
=80℃
t
p
=1ms
@ T
j
=150℃
@ T
j
=150℃
GD75PIL120C6S
1200
±20
150
75
150
595
10
单位
V
V
A
A
W
μs
集电极电流脉冲
总功耗
短路承受时间
开关特性
符号
V
（ BR ） CES
I
CES
I
GES
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止电流
栅射极漏泄
当前
测试条件
T
j
=25℃
V
CE
=V
CES
,V
GE
=0V,
T
j
=25℃
V
GE
=V
GES
,V
CE
=0V,
T
j
=25℃
分钟。
1200
1.0
400
典型值。
马克斯。
单位
V
mA
nA
基本特征
符号
V
GE （日）
参数
门极 - 发射极阈值
电压
集电极到发射极
饱和电压
测试条件
I
C
=3.0mA,V
CE
=V
GE
,
T
j
=25℃
I
C
=75A,V
GE
=15V,
T
j
=25℃
I
C
=75A,V
GE
=15V,
T
j
=125℃
分钟。
5.0
典型值。
6.2
1.80
2.05
马克斯。
7.0
2.20
V
单位
V
V
CE （ SAT ）
开关特性
符号
E
on
E
关闭
E
合计
E
on
E
关闭
E
合计
参数
导通开关
损失
关断开关
损失
总开关损耗
导通开关
损失
关断开关
损失
总开关损耗
V
CC
=600V,I
C
=75A,
R
G
=10,V
GE
=±15V,
T
j
=125℃
测试条件
V
CC
=600V,I
C
=75A,
R
G
=10,V
GE
=±15V,
T
j
=25℃
分钟。
典型值。
6.74
4.25
10.99
9.75
7.05
16.80
马克斯。
单位
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
2010的StarPower半导体有限公司
5/8/2010
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