CM8603D
每个增益设置是通过改变放大器的输入电阻，其范围可以从实现其
最小的值超过16倍的值。
-3dB频率可用下式计算
方程1：
Zf
输入信号
Ci
IN
Zi
f
3
dB
1
=
2
π
CiZi
(1)
输入电容
在典型的应用程序的输入电容C
i
，需要钛允许放大器吨偏压输入信号到
适当的直流电平为最佳操作。在该情况下， Ci和输入阻抗
放大器，子，形成一个高通滤波器与所确定的角频率
在式（2） ：
f
c
(
高通
)
=
1
2
π
CiZi
(2)
-3dB
次的值是很重要的，因为它直接影响低音（低频）
该电路的性能。请看例子梓是45
和
规范要求平坦的低频响应低至80赫兹。式（2）是
重新配置为公式3 ：
Ci
=
fc
1
(3)
2
π
fc
Zi
在该示例中，词是0.05uF ，所以一可能会选择在一个0.1uF到1uF的的范围内的值。进一步
考虑到这些电容器是从输入源通过输入网络的泄露路径（次）和
反馈网络的负载。该漏电流在输入到创建一个直流偏置电压
放大器，降低了有用的余量，特别是在高增益应用。为此一
低漏电的钽电容或陶瓷电容是最好的选择。当极化电容器用的
电容的积极的一面要面对在大多数应用中的DC电平放大器的输入端有举行
电压Vdd / 2，这是有可能比源dc电平更高。需要注意的是它以确认的电容器是很重要的
极性中的应用。
次应该比旁路电容小10倍，以减少点击和从功率爆裂噪声
开/关，并输入一个离开关机。对于给定的截止频率上浆次后，大小旁路
电容器高达10倍的输入电容器的。
Ci
≤
1
C
BYP
10
(4)
电源去耦，铯
该CM8603D是一种高性能的CMOS音频放大器，需要充足的电力供应
去耦以确保输出的总谐波失真（THD）是尽可能的低。电源
去耦还可以防止振荡的放大器和扬声器之间的长引线长度。该
最佳的去耦，通过使用不同类型的针对不同类型的噪声的两个电容器实现
在电源引线。对于较高频率的瞬变，尖峰或上线，良好的低数字散列
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