L6564T
应用信息
图31. THD优化：标准TM PFC控制器（左侧）和L6564T （右侧）
输入电流
输入电流
整流市电电压
整流市电电压
IMAINS来确定
输入电流
VDRAIN
MOSFET的漏极电压
IMAINS来确定
输入电流
VDRAIN
MOSFET的漏极电压
本质上，该电路人为地增加了功率开关的导通时间与一个正
偏移加到乘法器的线电压的过零点附近输出。
该偏移被降低的瞬时线电压的增加，使之成为
可以忽略不计的线电压移向正弦曲线的顶部。此外，偏移量是
通过在VFF引脚上的电压调制方案（见
第6.3节）
以具有低的小偏移
行，其中在零点能量转移通常是相当不错的，并以较大的偏移
高线所在的能量传递变得更糟。
电路的影响示于
图31中
其中，标准TM的关键波形
PFC控制器进行比较，那些该芯片。
取最大收益的总谐波失真优化电路，高频滤波电容
经过桥式整流应尽量减少，兼容与EMI滤波需求。大
电容，事实上，引入了在本身的AC输入电流的导通的死区角 -
甚至与由PFC预调节器的理想能量转移 - 因此降低了
优化电路的有效性。
6.5
电感饱和检测
升压电感器的硬饱和可能是一个致命事件的PFC预调节器：该
目前的上升斜率变得如此之大（ 50-100倍陡，见
图32）
这期间，
电流检测传输延迟的当前可能达到异常高值。电压
引起的在检测电阻此异常电流压降降低栅极 - 源极
电压，使MOSFET的可能工作在有源区，消耗了大量的
功率，经过几个开关周期而导致的灾难性故障。
文档编号022671版本1
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