2N7002
N沟道增强型MOSFET
典型特征
9
RDS （ ON） ，归一化导通电阻（ Ω ）
10
9
的RDS（on ） - 酮电阻（Ω ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
Tj.Junction温度（℃ ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
ID-漏电流（ A）
10V/0.5A
VGS=4.5V
4.5V/0.2A
VGS=10V
图5中。
导通电阻变化
随温度
图6 。
导通电阻与漏电流
12
10
10
的RDS（on ） - 酮电阻（Ω ）
IS-源电流（A ）
8
6
1
Tj＝150℃
ID=0.5A
4
Tj＝25℃
2
ID=0.2A
0.1
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VGS ，栅 - 源极电压（V ）
VSD源极到漏极电压（V ）
0
图7.On通电阻与栅极 - 源
电压
图8.Source漏极二极管正向
电压
３
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
