ME4947/ME4947-G
P通道60 -V （D -S ）的MOSFET
概述
该ME4947是P沟道逻辑增强型功率场
场效应晶体管都采用高密度生产， DMOS沟
技术。这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备特别适合
对于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的电路
其中，高侧开关和低线的功率损耗，需要在
一个非常小外形表面贴装封装。
特点
●
R
DS （ ON）
≦72m@V
GS
=-10V
●
R
DS （ ON）
≦94m@V
GS
=-4.5V
●
超高密度电池设计极低R
DS （ ON）
●
呈导通电阻和最大直流电流
能力
应用
●
在笔记型电源管理
●
便携式设备
●
电池供电系统
●
DC / DC转换器
●
负荷开关
●
DSC
针
CON组fi guration
(SOP-8)
顶视图
●
液晶显示器逆变器
e
订货信息：
ME4947 （无铅）
ME4947 -G （绿色产品，无卤素）
绝对最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
Current(Tj=150℃)
漏电流脉冲
最大功率耗散
工作结温
热阻，结到环境
*
*该设备安装在1英寸
2
FR4电路板用2盎司纯铜
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
I
D
I
DM
P
D
T
J
R
θJA
稳定状态
-60
±20
-4.4
-3.5
-18
2.5
1.6
-55到150
50
单位
V
V
A
A
W
℃
℃/W
2010/04/27 - VER1.0
01
