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KA1H0165RN/KA1H0165R
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
= 0.5B V
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
= 0.5B V
DSS
（ MOSFET
切换时间是基本上
独立运营的
温度）
分钟。
650
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
8
-
250
25
10
12
4
30
10
-
3
9
-
50
200
10
-
-
-
-
-
-
-
-
21
-
-
nC
nS
pF
V
A
A
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
1
-
2. S
= ---
R
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
S
3
