功能性器件操作
I2C接口
表12.中断，面具和检测位
打断
LOBATHI
面膜
LOBATHM
SENSE
LOBATHS
用途
低电量警告
感觉是1，如果上述LOBATH
门槛。
检测到会话有效的VBUS
ID浮动检测。感觉是如果1
高于阈值
USB ID地面探测。感觉是1
如果没有接地
ID电压工厂模式检测
感觉是1，如果高于阈值
壁式充电器检测
稳压短路保护
跳闸
短路保护之旅
发现
电池拆卸检测
1.0赫兹的时间刻度
中日间报警时间
PWRON1事件
感觉是1 ，如果引脚为高电平。
PWRON2事件
感觉是1 ，如果引脚为高电平。
PWRON3事件
感觉是1 ，如果引脚为高电平。
通过PWRONx系统复位
引脚
WDI静音系统重新启动
停电事件
热启动事件
内存保持活动
CLKS
-
THWARNHS
THWARNLS
临教在职培训
时钟源的变化
感觉是1 ，如果来源是XTAL
RTC复位或入侵有
发生
热警告门槛较高
感觉是1，如果高于阈值
热警告阈值下限
感觉是1，如果高于阈值
低功耗启动中断
TRIGGER
双
DebounceTi
me
30
μs
L2H ： 20-
24毫秒
H2L ： 8
12毫秒
90
μs
90
μs
90
μs
1.0毫秒
200
μs
0
30毫秒
0
0
30毫秒
30毫秒
30毫秒
30毫秒
30毫秒
30毫秒
0
0
0
0
0
0
0
30毫秒
30毫秒
1.0毫秒
(35)
(35)
(1)
部分
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VBUSVALIDI
VBUSVALIDM
VBUSVALIDS
双
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IDFLOATI
IDGNDI
IDFACTORYI
CHRGSE1BI
SCPI
BATTDETBI
1HZI
东大
PWRON1I
PWRON2I
PWRON3I
SYSRSTI
WDIRESETI
PCI
WARMI
MEMHLDI
CLKI
RTCRSTI
THWARNHI
THWARNLI
LPBI
IDFLOATM
IDGNDM
IDFACTORYM
CHRGSE1BM
SCPS
BATTDETBM
1HZM
TODAM
PWRON1M
PWRON2M
PWRON3M
SYSRSTM
WDIRESETM
PCM
WARMM
MEMHLDM
CLKM
RTCRSTM
THWARNHM
THWARNLM
LPBM
IDFLOATS
IDGNDS
IDFACTORYS
CHRSE1BS
-
BATTDETBS
-
-
PWRON1S
PWRON2S
PWRON3S
-
-
-
双
双
双
双
L2H
L2H
双
L2H
L2H
H2L
L2H
H2L
L2H
H2L
L2H
L2H
L2H
L2H
L2H
L2H
双
L2H
双
双
双
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笔记
对于下降沿35，反跳定时可以与PWRONxDBNC延长[1：0 ]。指
动力控制系统
了解详细信息。
附加检测比特可用来反映的功率模式选择引脚上的状态下，如概括在
表13 。
13892
48
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
