XC6701
系列
■
典型性能特性（续）
（10）
纹波抑制率
XC6701B / D 332
90
纹波抑制率： PSRR （分贝）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
V
IN
=V
CE
= 5.3Vdc +平0.5Vp - P，I
OUT
=1mA
C
L
=1μF(ceramic),Ta=25℃
XC6701B / D 332
90
纹波抑制率： PSRR （分贝）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
V
IN
=V
CE
= 5.3Vdc +平0.5Vp - P，I
OUT
=30mA
C
L
=1μF(ceramic),Ta=25℃
纹波频率： F（千赫）
纹波频率： F（千赫）
XC6701B / D 502
90
纹波抑制率： PSRR （分贝）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
V
IN
=V
CE
= 7.0Vdc +平0.5Vp - P，I
OUT
=1mA
C
L
=1μF(ceramic),Ta=25℃
XC6701B / D 502
90
纹波抑制率： PSRR （分贝）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
V
IN
=V
CE
= 7.0Vdc +平0.5Vp - P，I
OUT
=30mA
C
L
=1μF(ceramic),Ta=25℃
纹波频率： F（千赫）
纹波频率： F（千赫）
XC6701B / D C02
90
纹波抑制率： PSRR （分贝）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
V
IN
=V
CE
= 14.0Vdc +平0.5Vp - P，I
OUT
=1mA
C
L
=1μF(ceramic),Ta=25℃
XC6701B / D C02
90
纹波抑制率： PSRR （分贝）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
V
IN
=V
CE
= 14.0Vdc +平0.5Vp - P，I
OUT
=30mA
C
L
=1μF(ceramic),Ta=25℃
纹波频率： F（千赫）
纹波频率： F（千赫）
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