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WF512K32-XXX5
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号电压范围（除A的引脚
9
) (2)
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留（MIL温度）
耐力 - 写/擦除周期（MIL温度）
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
20年
10万次分。
-2.0至14.0
V
单位
°C
V
V
°C
°C
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2U / G1U
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性的损害
到设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。最大直流
电压输出和I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。期间的电压转换，
输出可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A最小DC输入电压
9
引脚为-0.5V 。在电压转换，A
9
可能过冲VSS至-2V最高为20ns的时间。最大直流输入
上的电压
9
是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时期
高达20ns的。
电容
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
50
15
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
低电容CQFP
(T
A
= +25°C)
参数
OE电容
CQFP G4电容
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入
电容
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大
32
32
15
15
32
单位
pF
pF
pF
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A
9
电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC4
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND或V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= 2.5毫安， V
CC
= 4.5
0.85
X
民
最大
10
10
190
240
6.5
0.6
0.45
V
CC
4.2
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
3.2
DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。的频率成分一般
小于2毫安/兆赫，使用OE在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3
怀特电子设计公司凤凰城，亚利桑那州 （ 602 ） 437-1520
