UTRON
初步修订版1.0
64K x 16位低功耗CMOS SRAM
UT62L6416
数据保持特性
(T
A
=
0
℃
70
℃
/ -20
℃
80
℃
(E)
)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片禁用到数据
保留时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
CDR
t
R
测试条件
CE
≧
V
CC
-0.2V
Vcc=1.5V
CE
≧
V
CC
-0.2V
看到数据保留
波形（下）
分钟。
1.5
-L
- LL
-
-
0
5
典型值。
-
1
0.5
-
-
马克斯。
3.6
50
20
-
-
单位
V
A
A
ms
ms
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
2.7V
V
DR
≧
1.5V
CE
2.7V
t
CDR
t
R
V
SS
CE
≧
V
CC
-0.2V
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