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HM51W4265C系列
23.当启用一次输出缓冲器，维持低阻抗状态，直到有效数据
获得。当输出缓冲器被打开和关闭非常短的时间内，通常它会导致
大V
CC
/V
SS
线路噪声，从而导致降低V
IH
最小/ V
IL
最高水平。
24. t
HPC
（分）可以在一系列EDO页模式早期的写周期或EDO页面来实现
模式读周期。如果同时写入和读出操作被混合在一个EDO页模式
RAS
周期
（EDO页面模式混合周期（1） ，（2） ）的最小值
CAS
周期T
HPC
(t
CAS
+ t
CP
+ 2t
T
）成为
大于指定吨
HPC
（最小）值。
25.数据输出关断，并成为高阻抗从后面上升沿
RAS
和
CAS 。
保持时间和关闭时间是由后来的上升沿时序规范规定
RAS
和
CAS
T之间
高级代表办事处
和T
OH
之间，并且吨
OFR
和T
OFF1
.
26. t
DOH
限定在其输出电平满足的输出定时基准水平所需的时间。
测定用的试验条件。
27. t
RAS
（分钟） - 吨
RWD
（ MIN ） + T
RWL
（ MIN ） + T
T
在读 - 修改 - 写周期。
28. t
CAS
（分钟） - 吨
CWD
（ MIN ） + T
CWL
（ MIN ） + T
T
在读 - 修改 - 写周期。
29. t
CSH
（分钟）就可以实现当t
RCD
≤
t
CSH
（分钟）
t
CAS
（最小值） 。
30.请不要用吨
RASS
时间， 10
s ≤
t
RASS
≤
100
s.
在此期间，该装置是在
从正常运行模式，在自刷新模式转换状态。如果T
RASS
≥
100
s,
然后
RAS
预充电时间应该用吨
RPS
而不是吨
RP
.
31.如果你使用分布式CBR刷新模式15.6
s
间隔在正常读/写周期中， CBR
刷新率应该在15.6执行
s
从退出后立即进入前
自刷新模式。
32.如果你使用
RAS
只刷新或CBR突发刷新模式在正常的读/写周期， 512个周期
分布式CBR刷新15.6
s
间隔时间应在8毫秒后立即执行
从与进入自刷新模式之前退出。
无刷新所有内存33.重复自刷新模式是不允许的。一旦从你退出
自刷新模式时，所有的存储单元需要之前再进入自刷新模式时进行刷新
再次。
34. XXX： H或L （H： V
IH
（分钟）
≤
V
IN
≤
V
IH
（最大） ，L： V
IL
（分钟）
≤
V
IN
≤
V
IL
（最大值） ）
/////// ：无效的Dout
当地址，时钟输入引脚时序波形没有说明，其引脚必须
适用V
IH
或V
IL
.
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