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TPS735xx
SBVS087E - 2008年6月 - 修订2008年12月
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www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
产品
TPS735xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 28 = 2.8V ， 285 = 2.85V ， 01 =调节） 。
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
输出电压从1.0V到3.6V的50mV的增量都可以通过使用创新的工厂EEPROM编程;
最小起订量，可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
绝对最大额定值
在工作温度范围内（除非另有说明） 。
(1)
参数
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
FB
范围
峰值输出电流
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
TPS735xx
-0.3到+7.0
-0.3到V
IN
+0.3
-0.3到V
IN
+0.3
-0.3到V
FB
（ TYP ） +0.3
内部限制
SEE
耗散额定值
表
-55到+150
-55到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
耗散额定值
板
低K
(1)
高K
(2)
包
DRV
DRV
DRB
R
θJC
20°C/W
20°C/W
1.2°C/W
R
θJA
140°C/W
65°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C
7.1mW/°C
15.4mW/°C
25mW/°C
T
A
< + 25°C
715mW
1.54W
2.5W
T
A
= +70°C
395mW
845mW
1.38W
T
A
= +85°C
285mW
615mW
1.0W
高K
(2) (3)
(1)
(2)
(3)
JEDEC的低K （ 1S）板用于导出这些数据是3英寸× 3英寸（ 7,62cm × 7,62cm ） ，双层板， 2盎司（ 56699克）
铜线在板的顶部。
JEDEC的高K （ 2S2P ）板用于导出这些数据是3英寸× 3英寸（ 7,62cm × 7,62cm ） ，1盎司（ 28,35g ）多层电路板
内部电源层和接地层和2盎司（ 56699克）铜迹线之上的董事会和底部。
第r
θJC
所述DRB包的值是结到垫;注意，这是不结到壳体（ IC封装的顶部中央）。
2
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2008 ，德州仪器
