TPS65070 ， TPS65072 ， TPS65073

TPS650731 ， TPS650732

SLVS950 - 2009年7月

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CON_CTRL2 。注册地址： 0EH

CON_CTRL2

位名称和功能

默认

通过设定的信号

默认值加载

方式：

读/写

B7

启用

1秒计时器

0

B6

启用

5秒计时器

0

B5

DS_RDY

0

B4

PWR -D

S

0

B3

MASK_EN_DCDC3

1

B2

UVLO

迟滞

1

B1

UVLO1

0

BO

UVLO0

1

UVLO

读/写

UVLO

读/写

UVLO

读/写

UVLO

读/写

UVLO

读/写

BG_GOOD

读/写

BG_GOOD

读/写

BG_GOOD

读/写

位7-6

启用定时器：

0 = 1秒和5秒的状态机定时器，分别被禁用

1 = 1秒和5秒的状态机定时器，分别被使能

DS_RDY （数据准备好，内存的内容有效）用于采用SiRF厦华处理器深度休眠

模式：

0 =状态位被指示存储器的内容是不是从深度休眠唤醒后有效。

该位被置位/由厦华应用处理器清除。清除时，设备处于UVLO告诉

处理器有一个功率损耗。该位必须由用户软件唤醒后清零

从深度休眠模式，使DCDC2转换器关断顺序被断电

根据LDO2的状态。

1 =存储器内容是从深度睡眠中唤醒后有效（由应用I2C命令集

只有处理器） 。在厦华处理器准备断电深度睡眠模式或只是

从深度休眠模式唤醒。

第5位

4位

PWR_DS （进入深度睡眠的排序选项DCDC_SEQ = 100 ， LDO_SQ = 111 ） ：

0 = PMU处于正常工作状态

1 = PMU电源关闭，除了DCDC2所有导轨和引脚上的外部LDO “ EXT_LDO ” 。 PGOOD

被拉低。

MASK_EN_DCDC3 ;用于厦华应用处理器的启动顺序：

0 = DCDC3启用或EN_DCDC3的排序选项的状态禁用

DCDC_SEQ=100.

1 = DCDC3将开始进行测序选项DCDC_SEQ = 100 ，同时与LDO2 。该

EN_DCDC3的状态被忽略

欠压闭锁滞后：

0 = 400mV的滞后

1 = 500mV的滞后

UVLO1 ， UVLO2 （欠压锁定电压） ：

00 =将器件在2.8V断开与测序中CON_CTRL1定义的反向

01 =器件在3.0V断开与测序中CON_CTRL1定义的反向

10 =将器件在3.1V断开与测序中CON_CTRL1定义的反向

11 =将器件在3.25V截止与测序中CON_CTRL1定义的反向

第3位

第2位

位1..0

注：欠压锁定电压进行检测的SYS引脚和设备进入关断状态时，

的电压低于在寄存器中定义的值。 BG_GOOD是内部带隙好

其发生在更低的电压高于UVLO信号。

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