TPS65070 ， TPS65072 ， TPS65073

TPS650731 ， TPS650732

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SLVS950 - 2009年7月

1.8

1.7

1.6

1.5

VTS （ T）

1.4

1.3

1.2

1.1

1

0.9

0.8

-5

0

5

10

15 20 25 30 35

温度 - （T）的

40 45

50

图48.致使TS电压

As

图47

所示，其结果是延长的充电温度范围在较低温度下。上

温度限制被移动到较低的值，以及产生略小于45 ℃的V（热）的温度。

因此RT3是需要再次移动的温度范围更高的温度。

图48

其结果示于

为：

RT2 = 47K

RT3 = 820R

使用这些值将扩展的温度范围进行充电至-5℃至50℃ 。

电源解决方案不同的应用处理器

默认设置

进行适当的电源设计具有TPS6507x ，不仅默认的输出电压是相关的，而且在什么

序列的不同的电源轨被启用。该电压典型地启用内部基于所述

排序选项编程。对于不同的应用处理器，有不同的排序方案

可用。另外，延迟时间和脉冲的复位信号给应用程序处理器是不同的。看

表9

与测序，输出电压和为TPS6507x系列复位选项的默认设置：

表9.排序设置

专用

为

TPS65070

DCDC_SQ[2..0]

011

LDO_SQ[2..0]

001

评论

DCDC1 = I / O （ 3.3V ） ;通过EN_DCDC1启用

DCDC2 = DVDD3318 （ 1.8V或3.3V ）

（ DEFDCDC2 = LOW ： 1.8V ; DEFDCDC2 = HIGH ： 3.3V ）

DCDC3 =核心电压CVDD

（ DEFDCDC3 = LOW ： 1.0V ; DEFDCDC3 = HIGH ： 1.2V ）

LDO1 = 1.8V ，延迟外部PMOS

LDO2 = 1.2V

PGOOD延迟时间（复位延时） ： 400毫秒<PGOODMASK> = 08H ：

复位的基础上VDCDC2

版权所有 2009年，德州仪器

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