TPS65070 ， TPS65072 ， TPS65073
TPS650731 ， TPS650732
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SLVS950B - 2009年7月 - 修订2009年12月
DCDC1转换器
参数
V
VINDCDC1
I
O
R
DS （ ON）
I
LH
R
DS （ ON）
I
LL
I
LIMF
I
LIMF
f
S
输入电压范围
最大输出
高边MOSFET导通电阻
高边MOSFET的漏电流
低边MOSFET的导通电阻
低边MOSFET的漏电流
正向电流限制（高侧和低侧MOSFET ）
正向电流限制（高侧和低侧MOSFET ）
振荡器频率
固定输出电压范围
默认情况下输出电压
V
OUT
直流输出电压精度; PFM模式
(1)
直流输出电压精度; PWM模式
(1)
ΔV
OUT
t
开始
t
坡道
省电模式的纹波电压
(2)
启动时间
V
OUT
斜坡上升时间
电源正常阈值
电源正常阈值
R
DIS
在L1内部放电电阻
内部电阻分压器，我
2
可选
对于TPS65070 ， TPS65072
对于TPS65073 ， TPS650731 ， TPS650732
VINDCDC1 = VDCDC1 +0.3 V至6.3 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
0.6 A
VINDCDC1 = VDCDC1 +0.3 V至6.3 V ;
0毫安
≤
I
O
≤
0.6 A
I
OUT
= 1毫安， PFM模式
从积极的EN时候开始切换
时间斜坡从5％到95 ％的V
OUT
上升的电压
电压下降
–35%
–2%
–1.5%
40
170
250
VO -
5%
VO -
10%
250
35%
VINDCDC1 = 2.8 V
VINDCDC1 = 3.5 V
VINDCDC1 = 6.3 V
VINDCDC1 = 2.8 V
VINDCDC1 = 3.5 V
V
DS
= 6.3 V
用于TPS65072 ， TPS65073 ， TPS650731 ，
TPS650732
对于TPS65070
0.8
1.1
1.95
0.725
3.3
1.8
3%
1.5%
mV
pp
μs
μs
1.1
1.6
2.25
200
160
测试条件
连接到SYS引脚
民
2.8
600
150
120
300
200
2
300
180
1
1.5
2.2
2.55
3.3
典型值
最大
6.3
单位
V
mA
m
μA
m
μA
A
A
兆赫
V
V
(1)
(2)
输出电压规格不包括外部电压编程电阻容差。输出电压在PFM模式
缩放到标称值+ 1 ％ 。
配置L = 2.2
μH,
C
OUT
= 10
μF
DCDC2转换器
参数
V
VINDCDC
2
测试条件
连接到SYS引脚
TPS65072/73/731/732
TPS65070
VIN > 2.8 V
VINDCDC2 = 2.8 V
VINDCDC2 = 3.5 V
VINDCDC2 = 6.3 V
VINDCDC2 = 2.8 V
VINDCDC2 = 3.5 V
V
DS
= 6.3 V
TPS65072/73/731/732
TPS65070
2.8 V < V
INDCDC2
< 6.3 V
最小值典型值
2.8
600
1500
150
120
最大
6.3
单位
V
mA
输入电压范围
最大输出电流
I
O
R
DS （ ON）
I
LH
R
DS （ ON）
I
LL
I
LIMF
f
S
V
OUT
V
REF
V
OUT
高边MOSFET导通电阻
高边MOSFET的漏电流
低边MOSFET的导通电阻
低边MOSFET的漏电流
正向电流限制（高边和低边
MOSFET ）
振荡器频率
可调输出电压范围
参考电压
固定输出电压范围
300
200
2
m
μA
m
μA
A
兆赫
V
mV
200
160
300
180
1
0.8
2.1
1.1
2.4
1.5
3.5
2.55
VIN
1.95 2.25
外部电阻分压器
0.6
600
内部电阻分压器，我
2
C
可选（默认设置）
0.725
3.3
V
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