TPS62110 ， TPS62111
TPS62112 ， TPS62113
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SLVS585A - 2005年7月 - 修订2009年2月
电气特性
V
I
= 12 V, V
O
= 3.3 V，I
O
= 600毫安， EN = V
I
, T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
电源电流
V
I
I
(Q)
输入电压范围
工作静态电流
静态电流具有增强LBI
比较器的版本（ TPS62113只） 。
关断电流
I
O
= 0 mA时， SYNC = GND ，V
I
= 7.2 V,
T
A
= 25°C
(1)
I
O
= 0 mA时， SYNC = GND ，V
I
= 17 V
I
Q（ LBI ）
I
（SD）的
启用
V
IH
V
IL
I
LKG
I
（ EN ）
V
（ UVLO ）
EN高电平输入电压
EN低电平输入电压
EN跳变点迟滞
EN输入漏电流
EN输入电流
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
开关
V
I
≥
5.4 V ;我
O
= 350毫安
r
DS （ ON）
P沟道MOSFET的导通电阻
P沟道MOSFET的漏
当前
P沟道MOSFET的电流限制
r
DS （ ON）
N沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET的漏
当前
电源良好输出， LBI ， LBO
V
（ PG ）
电源良好电压之旅
电源良好延迟时间
V
OL
I
OL
PG ， LBO输出低电压
PG ， LBO灌电流
PG ， LBO输出漏电流
最低电源电压为有效的动力
好， LBI ， LBO信号
V
LBI
ILBI
低电池输入电压之旅
LBI输入漏电流
低电池电压输入跳变点
准确性
V
LBI ， HYS
低电池输入滞后
(1)
设备未进行切换。
25
输入电压下降
V
（ FB）的
= V
O
名义上，V
（ LBI ）
= V
I
V
O
斜坡正
V
O
斜坡负
V
（ FB）的
= 0.8 × V
O
名义上，我
OL
= 1毫安
1
0.01
3
1.256
10
100
1.5%
mV
0.25
V
O
– 1.6%
50
200
0.3
V
s
V
mA
A
V
V
nA
V
I
= 3.5 V ;我
O
= 200毫安
V
I
= 3 V ;我
O
= 100毫安
V
DS
= 17 V
V
I
= 7.2 V, V
O
= 3.3 V
V
I
≥
5.4 V ;我
O
= 350毫安
V
I
= 3.5 V ;我
O
= 200毫安
V
I
= 3 V ;我
O
= 100毫安
V
DS
= 17 V
2100
165
340
490
0.1
2400
145
170
200
0.1
2
A
1
2600
200
m
A
mA
250
m
EN = GND或V
I
, V
I
= 12 V
0.6 V
≤
V
（ EN ）
≤
4 V
输入电压下降
2.8
170
0.01
10
3
250
0.2
20
3.1
300
1.3
0.3
V
V
mV
A
A
V
mV
EN = V
I
， LBI = GND
EN = GND
EN = GND ，T
A
= 25 ° C，V
I
= 7.2 V
(1)
测试条件
民
3.1
典型值
最大
17
单位
V
A
20
23
10
1.5
1.5
5
3
26
A
A
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