
TPA2017D2
SLOS584 - 2009年4月
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去耦电容(C
S
)
该TPA2017D2是一款高性能D类音频放大器,需要足够的电源去耦
以保证效率高和总谐波失真(THD )低。对于较高频率的瞬变,
尖峰或上线的数字散列,良好的低等效串联电阻(ESR) 1 - F陶瓷电容
(典型值)放置在尽可能靠近该设备PVDD ( L,R )导线效果最好。将这种脱钩
电容接近TPA2017D2是D类放大器的效率很重要,因为任何抵抗
或电感中的装置和电容器之间的走线可导致效率的损失。对于过滤
低频率的噪音信号,一个4.7
F
或更大的电容放置在靠近音频功率放大器也
帮助,但它不是必需的,因为该装置的高PSRR的大多数应用。
输入电容(C
I
)
输入电容和输入电阻形成一个高通滤波器,其转角频率f
C
,确定在
公式1 。
1
f
C
=
(2
p
R
I
C
I
)
(1)
输入电容的值是很重要的考虑,因为它直接影响低音(低频)
该电路的性能。在无线手机音箱通常不能很好地回应低频,所以
转角频率可设置为禁止在本申请中的低频率。未使用的输入电容可以增加
输出失调。
式(2)
被用于求解所述输入耦合电容。如果转角频率是内
声音频带中,电容器应该具有的±10%或更高的耐受性,因为在电容的任何失配
使得在与下面的转角频率的阻抗失配。
1
C
I
=
(2
p
R
I
f
C
)
(2)
元件位置
把所有的外部元件非常接近TPA2017D2 。放置去耦电容,C
S
靠近
该TPA2017D2是D类放大器的效率非常重要。在跟踪任何电阻或电感
该装置和电容器之间可以导致效率损失。
效率和热信息
最高环境温度依赖于印刷电路板的系统的散热能力。降额因子
对于包示于耗散评级表。这个转换到
θ
JA
对于WCSP封装:
100°C/W
(3)
一定
θ
JA
以100℃ / W,在150℃的最大允许结温,最大内部
0.4 W(为0.2W每通道)为1.5瓦每声道, 8 Ω负载, 5V电源,从耗散
图9中,
该
最高环境温度可以计算下面的等式。
T
A
最大值=
T
J
马克斯 -
q
JA
P
DMAX
= 150 - 100 (0.4) = 110
°
C
(4)
式(4)
示出了所计算出的最高环境温度为110 ℃,最大功耗
与5 V电源和8 Ω的负载。该TPA2017D2的设计与热保护,轮流将设备关闭
当结温超过150℃ ,以防止损坏集成电路。此外,使用扬声器更
电阻小于8 Ω通过减小输出电流和增加显着提高的热性能
放大器的效率。
操作DAC和编解码器
在使用D类放大器与编解码器和DAC ,有时也有增加的输出本底噪声
从音频放大器。该编解码器的输出频率混合时会发生/ DAC混合使用
开关音频放大器的输入级的频率。噪声的增加可以通过将低通来解决
之间的编解码器/ DAC以及音频放大器进行筛选。这种过滤掉高频引起的问题
并允许适当的性能。见的功能框图。
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