电气规格
6.33闪断时间（ F281x芯片只）
6.33.1推荐工作条件
民
Nf
NOTP
闪存耐力的阵列（写入/擦除周期）
OTP耐力为阵列（写周期）
0 ° C至85°C （环境）
0 ° C至85°C （环境）
100
喃
1000
1
最大
单位
周期
写
表6-57 。闪存参数为150 MHz的SYSCLKOUT
参数
使用Flash API V1
16位字
节目时间
8K部门
16K部门
8K部门
擦除时间
IDD3VFLP
16K部门
抹去
在擦除/编程周期VDD3VFL电流消耗
节目
IDDP
在擦除/编程周期VDD电流消耗
IDDIOP
在擦除/编程周期VDDIO的电流消耗
为在室温下包括函数调用的开销看到的典型参数。
闪存API V1.00是可用的转速。 硅而已。
使用Flash API V2.10
使用Flash API V1
使用Flash API V2.10
使用Flash API V1
使用Flash API V2.10
民
典型值
35
50
170
250
320
500
10
11
75
35
140
20
最大
单位
s
s
ms
ms
ms
ms
s
s
mA
mA
mA
mA
表6-58 。闪存/ OTP访问时序
参数
TA （ FP ）
TA （ FR ）
TA （ OTP ）
分页闪存存取时间
随机闪存存取时间
OTP访问时间
民
36
36
60
最大
单位
ns
ns
ns
2001年4月 - 修订2007年7月
SPRS174O
155
