TMS320C5515
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SPRS645 - 二零一零年一月
表2-1 。在C5515处理器的特性（续）
硬件特性
功率特性
活动@室温度25 ° C， 75 ％ DMAC +
25％的ADD （典型的正弦波数据
切换）
活动@室温度25 ° C， 75 ％ DMAC +
25％的NOP （典型的正弦波数据
切换）
活动@室温度25 ° C，硬件FFT
加速器1024点FFT ， ROM执行
待机（主时钟禁用） @室
温度25 ° C（ DARAM和SARAM的活动
模式）
待机（主时钟禁用） @室
温度25 ° C（ DARAM在保留和
SARAM在主动模式）
待机（主时钟禁用） @室
温度25 ° C（ DARAM处于活动模式，
SARAM在保留）
PLL选项
BGA封装
工艺技术
产品状态
(2)
(2)
C5515
0.15毫瓦/兆赫@ 1.05 V， 60或75 MHz的
0.22毫瓦/兆赫@ 1.3 V， 100或120 MHz的
0.14毫瓦/兆赫@ 1.05 V， 60或75MHz的
0.22毫瓦/兆赫@ 1.3 V， 100或120 MHz的
0.25毫瓦/兆赫@ 1.05 V， 60或75 MHz的
0.31毫瓦/兆赫@ 1.3 V， 100或120 MHz的
0.26毫瓦@ 1.05 V
0.44毫瓦@ 1.3 V
0.23毫瓦@ 1.05 V
0.40毫瓦@ 1.3 V
0.15毫瓦@ 1.05 V
0.28毫瓦@ 1.3 V
X4为x4099倍增
196引脚BGA （ ZCH ）
0.09
mm
PP
软件可编程乘法器
10 ×10mm的
mm
产品预览（ PP ） ，
高级信息（ AI ）
或生产数据（ PD ）
产品预览信息涉及的是的形成或设计阶段的实验品（指定为TMX ）
发展。特征数据和其他规格的设计目标。德州仪器公司保留随时更改或向右
停止这些产品，恕不另行通知。
2010 ，德州仪器
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