TMS320C5515
SPRS645 - 二零一零年一月
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表2-8 。外部存储器接口（ EMIF ）终端功能（续）
信号
名字
EM_A[2]
EM_A[1]
EM_A[0]
EM_D[15]
EM_D[14]
EM_D[13]
EM_D[12]
EM_D[11]
EM_D[10]
EM_D[9]
EM_D[8]
EM_D[7]
EM_D[6]
号
E1
C2
B2
J4
K3
K4
L3
C4
D3
F4
E3
H3
K5
M2
L4
D4
F3
E5
G3
A3
C3
M4
C5
H1
E4
B6
P1
B5
B1
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
O / Z
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
EMIF片选5的输出与异步存储器的使用（即， NOR闪存，
NAND闪存或SRAM） 。
EMIF片选4的输出与异步存储器的使用（即， NOR闪存，
NAND闪存或SRAM） 。
EMIF的NAND芯片选择3输出与异步存储器（即用， NOR
闪存，NAND闪存，或SRAM ） 。
EMIF的NAND芯片选择2输出异步存储器（即用， NOR
闪存，NAND闪存，或SRAM ） 。
EMIF异步存储器写使能输出
EMIF异步存储器读使能输出
EMIF异步读/写输出
I / O / Z
DV
DDEMIF
BH
EMIF的16位双向总线。
TYPE
(1)
I / O / Z
I / O / Z
I / O / Z
其他
(2)
(3)
描述
该引脚为EMIF外部地址引脚2 。
该引脚为EMIF外部地址引脚1 。
该引脚为EMIF外部地址引脚0 。
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
DV
DDEMIF
BH
产品预览
22
EM_D[5]
EM_D[4]
EM_D[3]
EM_D[2]
EM_D[1]
EM_D[0]
EM_CS5
EM_CS4
EM_CS3
EM_CS2
EM_WE
EM_OE
EM_R / W
EM_DQM1
EM_DQM0
EM_BA[1]
EMIF异步数据写选通和字节使能或EMIF SDRAM和
mSDRAM数据屏蔽位。
EMIF异步银行地址
16位宽的存储器： EM_BA [1]构成的器件地址[0]和BA [0]形成设备
处理[23] 。
8位宽的存储器： EM_BA [1]构成的器件地址[1]和BA [0]形成设备
地址[0]。
EMIF SDRAM和mSDRAM银行地址。
EMIF等待状态的扩展输入5 EM_CS5
EMIF等待状态的扩展输入4 EM_CS4
EMIF等待状态的扩展输入3 EM_CS3
EM_BA[0]
A1
O / Z
EM_WAIT5
EM_WAIT4
EM_WAIT3
H4
G1
K6
I
I
I
设备概述
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TMS320C5515
2010 ，德州仪器
