TLC271 ， TLC271A ， TLC271B
路LinCMOS 可编程低功耗
运算放大器
SLOS090C - 1987年11月 - 修订1997年8月
偏向选择功能（续）
偏置选择对性能表1.影响
典型参数值是
25 C,
TA = 25 ℃， VDD = 5 V
PD
SR
Vn
B1
φ
m
AVD
功耗
压摆率
在f = 1kHz的等效输入噪声电压
单位增益带宽
相位裕度
大信号的差分电压放大
模式
高偏置
RL = 10 kΩ的
3.4
3.6
25
1.7
46°
23
中等偏差
RL = 100 kΩ的
0.5
0.4
32
0.5
40°
170
低偏置
RL = 1 MΩ
0.05
0.03
68
0.09
34°
480
V / MV
单位
mW
V / μs的
纳伏/赫兹÷
兆赫
偏置选择
偏压的选择是由连接所述偏压选择管脚对的三个电压电平（参见图1 ）一种实现。为
中等偏差的应用程序，则建议将偏压选择引脚被连接到之间的中点
电源轨。这个过程是分离电源应用简单，因为这点接地。在单电源供电
应用中，介质偏压模式就必须使用一个分压器如在图1中使用的表示
在分压器的大值电阻器降低从电源线除法器的电流消耗。不过，
结合使用具有大电容值的电容器的大值电阻器需要显著时间充电到
供应后级供电中点接通。电压低于中点其他可如果是内使用
在图1中指定的电压。
偏置选择（续）
VDD
低
向偏置
选择引脚
中
1 M
偏置模式
低
BIAS选择电压
（单电源）
VDD
1 V至VDD - 1 V
GND
高
1 M
0.01
F
中
高
图1.选择偏置单电源应用
高偏压模式
在高偏置模式下， TLC271系列具有低失调电压漂移，输入阻抗高，噪声低。
速度在此模式接近的的BiFET器件，但在功耗的一小部分这一点。单位增益
带宽通常大于1兆赫。
MEDIUM -偏置模式
在中等偏模式TLC271具有低失调电压漂移，输入阻抗高，噪声低。
速度在此模式类似于通用的双极型器件，但功耗是，只有一小部分
由双极型器件消耗。
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