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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
TIP31D
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 25 (分钟) @我
C
=
1A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 120V (最小值)
.Complement
到类型TIP32D
应用
·设计
用于通用放大器和开关使用
应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
160
单位
V
120
5
V
V
3
A
5
A
1
40
150
-65~150
A
W
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
3.125
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
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