TCET1110/TCET1110G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
耐高温， 110℃额定
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
红外二极管
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
电荷耦合器件
1000
V
CE
= 30
V
100
10
V
10
1
0
16738
20
40
60
80
100
120
16736
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
= 5
V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 7 - 正向电流与正向电压
图。 10 - 集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
- 40 - 20
V
CE
= 5
V
I
F
= 5毫安
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
1
0
20
40
60
80
100 120
0.1
95 10985
1
10
100
16737
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 8 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
图。 11 - 集电极电流与集电极发射极电压
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
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