TCET1110/TCET1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
耐高温， 110℃额定
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
10
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
TCET1111
TCET1111G
TCET1112
TCET1112G
TCET1113
TCET1113G
TCET1114
TCET1114G
TCET1110
TCET1110G
TCET1115
TCET1115G
TCET1116
TCET1116G
TCET1117
TCET1117G
TCET1118
TCET1118G
TCET1119
TCET1119G
TCET1111
TCET1111G
TCET1112
TCET1112G
TCET1113
TCET1113G
TCET1114
TCET1114G
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
13
22
34
56
50
50
100
80
130
200
40
63
100
160
典型值。
30
45
70
90
600
150
300
160
260
400
80
125
200
320
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
